SMA6J11AHR3G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款表面贴装(SMA)封装的瞬态电压抑制二极管(TVS)。该器件主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电感负载切换和雷击浪涌等瞬态电压事件的损害。SMA6J11AHR3G 具有较低的击穿电压和快速响应时间,适用于需要高水平电路保护的工业、消费电子及通信设备。该器件采用环保材料制造,符合RoHS标准,并且具有良好的热稳定性和可靠性。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
封装类型:SMA
最大反向工作电压(Vwm):11V
击穿电压(Vbr):12.2V 至 13.5V
峰值脉冲电流(Ipp):38.2A
钳位电压(Vc):19.9V
功率耗散(Pppm):400W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
湿度等级:1(符合J-STD-020)
无铅/符合RoHS:是
SMA6J11AHR3G 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管,专为保护敏感电子元件免受瞬态电压事件的影响而设计。其主要特性包括高浪涌承受能力和低钳位电压,这使得它在受到ESD或浪涌冲击时能够迅速导通并将电压限制在一个安全水平,从而保护后级电路不受损害。
该器件的峰值脉冲功率为400W,能够在短时间内吸收大量的瞬态能量。同时,其快速响应时间(通常在皮秒级别)确保了对瞬态事件的即时反应,有效降低对被保护设备的影响。SMA6J11AHR3G 采用SMA封装,具有较小的体积和良好的热稳定性,适用于高密度PCB布局。
此外,该TVS二极管具有良好的重复使用性能,即使在多次浪涌冲击下仍能保持稳定的工作特性。其低漏电流设计(通常小于1μA)确保了在正常工作电压下对系统功耗的影响最小化。该器件还具有优异的ESD保护能力,可承受IEC 61000-4-2标准中规定的±30kV接触放电和空气放电测试,适用于要求严苛的工业和通信应用。
在材料方面,SMA6J11AHR3G 符合RoHS指令,并采用无卤素和无铅封装技术,符合现代电子产品的环保要求。其封装设计也便于自动化生产和回流焊工艺,提高了制造效率和产品一致性。
SMA6J11AHR3G 主要应用于需要高可靠性电路保护的领域,包括但不限于以下场景:工业控制设备、通信基站、路由器与交换机、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)、汽车电子系统(如车载娱乐系统和传感器模块)、电源管理模块、数据线和接口保护电路等。该器件特别适合用于保护低压敏感IC(如USB接口、HDMI接口、ADC输入和微控制器引脚)免受ESD和浪涌电压的损害。
SMAJ11A, SMB6J11A, P4SMA-11A, 1.5SMC11A