SMA5J110CA是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的宽带放大器芯片,广泛应用于射频和微波通信领域。该芯片能够在较宽的频率范围内提供高增益、低噪声和高线性度的信号放大功能,适合用作低噪声放大器(LNA)、驱动放大器或功率放大器前级等。其紧凑的设计使其能够轻松集成到各种射频模块中,满足现代无线通信系统对高性能和小型化的需求。
型号:SMA5J110CA
工艺:GaAs HEMT
频率范围:0.01 GHz 至 10 GHz
增益:16 dB 典型值
噪声系数:1.8 dB 典型值
输出1 dB压缩点:+23 dBm 典型值
最大输入功率:+30 dBm
电源电压:+4 V
工作电流:80 mA 典型值
封装形式:QFN-16
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
SMA5J110CA具有非常宽的工作频率范围,可以覆盖从低频到高频的多种应用需求。
它采用了先进的GaAs HEMT技术,从而具备了出色的增益性能和较低的噪声系数,在高频段仍然保持稳定表现。
该器件的高线性度确保在复杂调制信号环境下仍能维持良好的信号完整性。
此外,芯片设计上集成了偏置电路,简化了外部匹配网络设计,同时降低了功耗和系统复杂度。
其小尺寸封装进一步提升了布局灵活性,非常适合需要紧凑设计的应用场景。
SMA5J110CA适用于多种射频和微波通信设备,包括但不限于:
无线通信基站前端放大器。
卫星通信接收机中的低噪声放大器(LNA)。
雷达系统中的驱动放大器。
测试与测量仪器中的信号放大组件。
点对点微波链路中的中频或射频放大器。
军事通信系统中的高性能放大器模块。
SMA5J110CB, SMA5J111CA, MGA-634P8