SMA2EZ68D5是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该芯片通过优化的栅极驱动设计和封装技术,实现了更小的体积和更高的散热性能,非常适合需要高效能和紧凑空间的设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:90nC
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-247
SMA2EZ68D5的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流条件下减少功耗并提升效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用环境。
3. 优异的热性能,确保长时间稳定运行。
4. 高雪崩能力和强鲁棒性,可承受异常情况下的过载或短路。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 支持宽泛的工作温度范围,适应多种极端工况。
SMA2EZ68D5广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的同步整流管。
3. 工业电机驱动的逆变模块。
4. 太阳能逆变器中的功率开关。
5. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)和牵引逆变器。
6. 各类工业自动化设备中的功率控制电路。
SMA2EZ68D5L, IRFZ44N, FDP5500