SMA2EZ47D5是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛适用于各种功率转换和负载开关应用。其封装形式通常为TO-263或DPAK,能够满足工业级和汽车级应用的需求。
这款MOSFET主要以其实现高效电源管理的能力而著称,适合用于DC-DC转换器、电机驱动、LED照明以及其他需要快速开关和低损耗的场景。
最大漏源电压:45V
连续漏极电流:28A
导通电阻(Rds(on)):4.7mΩ
栅极电荷:39nC
输入电容:1070pF
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-263 (DPAK)
SMA2EZ47D5具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效降低功率损耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,得益于较小的栅极电荷和输出电荷,使得它非常适合高频应用。
3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的电气性能。
4. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 宽工作温度范围,支持从极端低温到高温的工作环境,满足严苛的应用需求。
6. 小巧紧凑的封装形式,节省了PCB空间,同时提供优秀的散热能力。
SMA2EZ47D5适用于以下典型应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 各类电机驱动电路,包括步进电机和无刷直流电机控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
5. LED驱动器中的功率调节和开关控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 电池管理系统中的充放电控制和保护电路。
IRFZ44N, FDP5500, AO3400A