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SMA2EZ30D5 发布时间 时间:2025/6/3 15:00:41 查看 阅读:9

SMA2EZ30D5是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于各种高效率功率转换应用。它主要被设计为在高频条件下工作的理想选择,广泛应用于开关电源、电机驱动以及负载切换等领域。
  SMA2EZ30D5属于表面贴装封装(SMA),能够显著节省PCB空间,并且具备出色的散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:5.8A
  导通电阻(典型值):12mΩ
  栅极电荷(典型值):6nC
  总电容(输入电容):480pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SMA

特性

SMA2EZ30D5具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,从而减小了磁性元件的尺寸和重量。
  3. 高电流处理能力,使其适用于大功率应用场景。
  4. 优异的热稳定性,确保在极端温度条件下的可靠运行。
  5. 小型化的SMA封装,简化了电路板布局并降低了整体解决方案的成本。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

SMA2EZ30D5可广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关功能。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 消费类电子产品的电池充电管理电路。
  7. LED照明系统的调光和驱动电路。

替代型号

SMA2EZ30D3, IRFZ44N, FDP5805

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