SMA2EZ20D5 时间：2025/6/11 21:03:07 阅读：6

SMA2EZ20D5 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能射频功率晶体管，专为高频和宽带应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 技术制造，能够提供高输出功率、高增益和出色的效率，适合于通信系统、雷达和其他射频功率应用。其封装形式通常为 SMA 连接器式，便于直接集成到射频电路中。
　　由于其卓越的性能和可靠性，SMA2EZ20D5 被广泛应用于 S 波段和 C 波段的射频放大器设计中。

参数

频率范围：1.8 GHz 至 3.5 GHz
　　输出功率：40 W（典型值）
　　增益：12 dB（典型值）
　　效率：60%（典型值）
　　Vds（漏极电压）：50 V
　　Pulsed 功率：75 W
　　输入匹配：50 Ω
　　输出匹配：50 Ω
　　封装类型：SMA 连接器式

特性

SMA2EZ20D5 的主要特点是采用了氮化镓半导体材料，使其具备了优异的高频性能和热稳定性。此外，它具有以下特性：
　　1. 高功率密度，能够在小尺寸封装内实现大功率输出。
　　2. 高效率，在高输出功率条件下仍能保持较高的能量转换效率。
　　3. 宽带工作能力，覆盖多个常用的射频频段。
　　4. 内部匹配网络优化，简化了外部匹配电路的设计复杂度。
　　5. 稳定性和可靠性经过严格测试，确保在苛刻环境下长期稳定运行。
　　6. 可靠的散热设计，支持持续高功率操作。

应用

SMA2EZ20D5 主要用于需要高功率和高效射频放大的场景，具体包括：
　　1. 无线通信基站的功率放大器模块。
　　2. 军用和民用雷达系统中的发射机部分。
　　3. 测试与测量设备中的信号源放大。
　　4. 卫星通信地面站的上行链路放大器。
　　5. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域中的高功率射频发生器。
　　6. 广播系统中的射频功率放大器组件。