时间：2025/12/27 19:11:52
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SM8SF36CA-Q是一款由商升特（SemiOne）推出的高性能、低功耗的碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为满足现代高效率电源转换系统的需求而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备优异的热稳定性和高频工作能力，适用于各种严苛的工作环境。SM8SF36CA-Q的额定电压为3600V，最大平均正向电流为8A，广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）、高压直流输电（HVDC）以及各类高功率开关电源中。其无反向恢复电荷的特性显著降低了开关损耗，提高了系统的整体能效。该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于在高功率密度设计中进行安装与散热管理。此外，SM8SF36CA-Q符合RoHS环保标准，并具备高抗浪涌能力和出色的长期可靠性，能够在高温、高湿及高电压应力条件下稳定运行。由于其卓越的动态性能和热稳定性，SM8SF36CA-Q成为替代传统硅基快恢复二极管的理想选择，特别是在需要提升系统效率和减小散热器尺寸的应用场景中表现出色。
类型：碳化硅肖特基二极管
封装形式：TO-247
反向重复峰值电压 VRRM：3600V
平均正向电流 IF(AV)：8A
峰值非重复浪涌电流 IFSM：120A（半正弦波，单脉冲）
最大正向压降 VF：约1.7V（在IF=8A，TJ=25°C条件下）
反向漏电流 IR：≤ 200μA（在VR=3600V，TJ=25°C）
结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
储存温度范围 Tstg：-55°C 至 +175°C
热阻 Rth(j-c)：约2.5°C/W（典型值）
工作频率：支持高频应用，无反向恢复电荷 Qrr ≈ 0 C
SM8SF36CA-Q的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性所带来的卓越电学表现。首先，该器件实现了零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在开关过程中不会产生由载流子复合引起的反向恢复电流尖峰，从而大幅降低开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统效率并简化滤波电路设计。这一特性在高频开关电源和硬开关拓扑中尤为重要，能够有效避免传统硅二极管在快速关断时产生的能量损耗和热积累问题。
其次，SM8SF36CA-Q具备优异的热导率和高温工作能力，其最高结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的+150°C限制。这使得器件在高功率密度或自然冷却条件下仍能保持稳定运行，减少了对复杂散热系统的依赖，有助于缩小整机体积并提高系统可靠性。同时，较低的正向压降（VF）在大电流工况下进一步降低了导通损耗，尤其在高温环境下，其VF随温度上升的变化趋势比硅器件更平缓，确保了稳定的性能输出。
此外，该器件具有极低的反向漏电流，在室温下不超过200μA，在高温条件下也保持在可接受范围内，避免了因漏电流增大而导致的静态功耗上升问题。其高浪涌电流承受能力（IFSM=120A）使其在面对电网波动或启动冲击电流时具备更强的鲁棒性，适用于户外或工业级严苛应用场景。TO-247封装不仅提供了良好的电气隔离和机械强度，还便于与散热器集成，优化热管理路径。整体而言，SM8SF36CA-Q通过材料创新与结构优化，在效率、可靠性和热性能之间实现了最佳平衡，是新一代高电压、高效率电力电子系统中的关键元器件。
SM8SF36CA-Q凭借其高耐压、低损耗和高可靠性，广泛应用于多种高要求的电力电子系统中。在太阳能光伏逆变器中，它被用于直流侧的防反二极管或升压电路中的续流元件，利用其无反向恢复特性减少能量损耗，提升逆变效率，尤其是在早晚弱光条件下的低负载效率表现更为突出。
在电动汽车领域，该器件可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的整流模块，支持高电压母线系统的高效运行，满足EVSE（电动汽车供电设备）对高能效和高功率密度的要求。其高温工作能力也适应了汽车引擎舱或户外充电桩的恶劣热环境。
在工业电源系统中，如通信电源、服务器PSU和焊接设备，SM8SF36CA-Q常作为输出整流二极管使用，显著降低热损耗，提升电源整体效率，减少风扇噪音和冷却成本。在不间断电源（UPS）和高压直流配电系统（HVDC）中，该器件用于AC/DC或DC/DC转换环节，提供稳定的高压整流功能，增强系统在市电波动或故障切换时的响应能力。
此外，该器件还可用于感应加热、电机驱动和电镀电源等工业控制设备中，作为高频整流或自由轮二极管使用，有效抑制电压尖峰，保护主开关器件（如IGBT或MOSFET）。由于其环保合规性和长寿命特性，也适合部署在远程或难以维护的基础设施项目中，如风力发电变流器、轨道交通牵引系统等。总之，凡是需要高电压、高效率、高可靠性的整流场合，SM8SF36CA-Q都是极具竞争力的解决方案。
SMD3600A8TH-E3-08
