时间：2025/12/27 20:07:50
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SM8SF28A-Q是一款由长电科技（JSC）推出的高性能、低功耗的碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高温、高压和高频应用环境设计。该器件采用先进的沟槽式碳化硅技术制造，具备卓越的反向阻断能力和极低的开关损耗，适用于现代电力电子系统中对效率和可靠性要求极高的场合。SM8SF28A-Q具有良好的热稳定性和抗辐射能力，能够在恶劣工作条件下保持稳定的电气性能。其封装形式为TO-252（DPAK），便于在紧凑型电源模块中进行表面贴装，广泛应用于新能源汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、工业电机驱动以及高密度电源适配器等领域。该器件无反向恢复电荷（Qrr≈0），显著降低了高频开关过程中的能量损耗，提升了整体系统效率。同时，其正温度系数的正向压降特性有利于并联使用时的电流均衡，增强了系统的可扩展性与可靠性。
类型：碳化硅肖特基二极管
极性：单二极管
反向电压（VRRM）：650V
平均整流电流（IF(AV)）：8A
峰值浪涌电流（IFSM）：75A
正向电压降（VF）：典型值1.75V @ 8A, 25°C
反向漏电流（IR）：典型值250μA @ 650V, 25°C；最大值5mA @ 650V, 175°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
封装：TO-252 (DPAK)
安装类型：表面贴装
热阻（RθJC）：约2.5°C/W
反向恢复时间（trr）：近似为0ns（无反向恢复电荷）
SM8SF28A-Q的核心优势在于其基于650V等级的碳化硅材料构建的肖特基势垒结构，这一结构从根本上消除了传统硅基PN结二极管所固有的少子存储效应，从而实现了近乎零的反向恢复电荷（Qrr）和极短的反向恢复时间（trr）。这意味着在高频开关操作中，例如在有源钳位反激、图腾柱PFC或LLC谐振变换器中，该器件不会产生额外的开关尖峰和电磁干扰（EMI），极大地简化了栅极驱动设计和滤波电路配置。
此外，尽管碳化硅肖特基二极管通常面临较高的正向导通压降挑战，但SM8SF28A-Q通过优化的沟槽电场终止技术和阳极金属界面工程，在保证高耐压的同时将典型VF控制在1.75V左右（8A, 25°C），有效平衡了导通损耗与开关损耗之间的矛盾。随着结温升高至175°C，其VF呈现轻微上升趋势，表现出正温度系数特征，这在多管并联应用中非常有利，能够自然促进电流均流，避免局部过热导致的热失控问题。
该器件还具备出色的动态可靠性，在反复经历高温高湿偏压测试（H3TRB）和高温反向偏置（HTRB）后仍能维持稳定的电气参数，证明其适用于长期运行于严苛工况下的工业级和车规级应用。TO-252封装不仅提供了良好的散热路径，而且兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产。内置的铜夹焊接结构进一步降低了寄生电阻和热阻，提升功率循环寿命。总体而言，SM8SF28A-Q凭借其材料优势、结构创新和工艺成熟度，在高效能电源转换领域树立了新的性能标杆。
SM8SF28A-Q主要面向高效率、高功率密度的电力电子应用场景。在新能源汽车领域，它被广泛用于车载充电机（OBC）中的升压PFC电路和DC-DC变换器的续流/箝位二极管，利用其零反向恢复特性减少开关损耗，提高系统效率并降低冷却需求。在光伏发电系统中，该器件可用于组串式或微型逆变器的输出整流环节，提升MPPT跟踪精度和夜间防逆流控制的稳定性。通信电源和服务器PSU等高端电源设备也采用SM8SF28A-Q以满足80 PLUS钛金等级的能效要求。此外，在工业电机驱动器的制动单元、UPS不间断电源的逆变桥臂保护以及高频率感应加热电源中，该器件同样发挥着关键作用。由于其宽温度工作范围和高可靠性，也适用于轨道交通、智能电网和航空航天等对安全性和耐用性要求极高的特殊应用场合。
SCT2800KE-T4\SCT2800DCOE\CDB8065D
