时间：2025/8/11 20:48:18
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SM802230UMGY01 是一款由 Sanken（三垦电气）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率、高频率的开关电源应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点，适用于如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED驱动器等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：800V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：2.3A（在TC=25℃）
脉冲漏极电流(Idm)：9.2A
导通电阻(Rds(on))：3.0Ω（最大值）
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃～150℃
封装类型：TO-220
SM802230UMGY01 具备多项优良特性，使其在高性能开关电源系统中表现出色。首先，其漏源电压高达800V，能够应对高电压输入环境，适用于多种高耐压应用场景。其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)最大仅为3.0Ω，有效降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，其连续漏极电流为2.3A，在高频率开关条件下仍能保持良好的热稳定性。
该器件采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能和机械强度，适用于标准的PCB安装工艺。其栅源电压可达±30V，具备较强的抗过压能力，有助于提高系统稳定性。同时，该MOSFET的工作温度范围为-55℃至150℃，具备优异的温度适应性和可靠性，适用于工业级和消费类电子设备。
SM802230UMGY01 主要应用于各类开关电源设备，包括AC-DC电源适配器、充电器、LED驱动电源、DC-DC转换器以及小型逆变器等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该MOSFET非常适合用于高效率、高频工作的电源系统中。在工业控制、家用电器、智能电表、通信设备等领域也有广泛的应用前景。
SM802230UMGY01的替代型号包括但不限于：SiHP80NQ100CG、FQA2N80C、K2843、K2849、K2868等。
