SM802128UMGY01 时间：2025/8/11 13:15:02 阅读：25

SM802128UMGY01 是一款由三星（Samsung）推出的高性能存储芯片，属于其UFS（Universal Flash Storage）产品系列。该芯片采用先进的V-NAND技术，提供快速的读写速度和可靠的存储性能，专为高端智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备设计。SM802128UMGY01 具有低功耗特性，符合JEDEC UFS 2.1标准，支持多任务处理和高效的数据传输，适用于需要高性能存储解决方案的移动设备。

参数

容量：128GB
　　存储类型：UFS 2.1 NAND Flash
　　接口：UFS（双通道）
　　读取速度：最高可达800MB/s
　　写入速度：最高可达210MB/s
　　电压范围：2.8V ~ 3.6V（I/O）、1.8V（核心）
　　工作温度范围：-25°C 至 +85°C
　　封装尺寸：11.5mm x 13mm x 1.0mm
　　可靠性：支持ECC（错误校正码）和 Wear-Leveling（磨损均衡）技术

特性

SM802128UMGY01 采用三星先进的V-NAND技术，显著提高了存储密度和耐用性。与传统的平面NAND相比，V-NAND通过堆叠存储单元来减少物理空间占用，同时降低功耗和提高数据传输速度。该芯片支持UFS 2.1接口协议，提供全双工通信能力，使得读写操作可以同时进行，极大提升了设备响应速度和多任务处理能力。
　　该存储芯片还集成了先进的控制器和缓存管理机制，支持智能数据调度和预取技术，确保在高负载场景下仍能保持稳定的性能表现。此外，SM802128UMGY01 还具备良好的温度适应性，在极端温度环境下仍能正常工作，增强了设备的可靠性和稳定性。
　　为满足移动设备对低功耗的需求，该芯片支持多种低功耗模式，包括深度睡眠模式和主动闲置模式，有效延长设备电池续航时间。同时，它还支持硬件加密功能，提供更高的数据安全性，防止未经授权的数据访问。

应用

SM802128UMGY01 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及需要高性能存储解决方案的嵌入式系统。其高速读写能力和低功耗设计使其成为5G手机、高性能平板电脑以及需要快速数据处理能力的便携式设备的理想选择。此外，该芯片也可用于车载信息娱乐系统、工业控制设备和高端消费类电子产品中，满足对存储性能和可靠性的高要求。