时间：2025/7/1 4:15:30
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SM6702-30HB-EL是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频功率开关器件，专为需要高开关频率和低导通损耗的应用而设计。该型号属于GaN Systems公司推出的增强型功率晶体管系列，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，适合用于电源转换、DC-DC转换器、无线充电以及各种高效能电力电子设备中。
SM6702-30HB-EL采用先进的E-Mode GaN技术，能够显著降低系统功耗并提高整体效率，同时其封装形式为紧凑的表面贴装类型，便于自动化生产和小型化设计。
额定电压：650V
额定电流：30A
导通电阻：150mΩ
栅极驱动电压：4V~6V
开关频率：高达5MHz
封装形式：LLGA-8
工作温度范围：-40℃至+125℃
SM6702-30HB-EL的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，确保高效的功率传输；
2. 快速的开关速度，减少开关损耗；
3. 高频运行能力，适用于高频应用场合；
4. 增强型模式（E-Mode）操作，无需复杂的栅极驱动电路；
5. 优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行；
6. 小型化的封装设计，节省PCB空间；
7. 高可靠性和长寿命，满足工业级应用需求。
SM6702-30HB-EL广泛应用于以下领域：
1. 高效DC-DC转换器和逆变器；
2. 无线充电设备；
3. 服务器和电信电源；
4. 消费类电子产品中的适配器和充电器；
5. 工业电机驱动和控制；
6. 太阳能微型逆变器；
7. LED照明驱动电源。
SM6702-30HB-EK, GS66508T
