时间：2025/12/28 20:23:32
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SM4F90A-TP 是一款由台湾茂达电子（Advanced Monolithic Devices, Inc.）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率的电源管理应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制等高功率应用。SM4F90A-TP 采用 TO-252（DPak）封装，具有良好的热性能和可靠性，适合表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）@25℃：90A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：5.8mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：9.8mΩ
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPak）
SM4F90A-TP 具备多项优异特性，使其适用于多种高功率和高效率电源应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为5.8mΩ，在Vgs=4.5V时为9.8mΩ，表明其在较低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，适用于多种驱动电路。
其次，该MOSFET具备高达90A的连续漏极电流能力，使其适用于大电流负载场合，如DC-DC转换器、同步整流器和高功率马达控制电路。此外，SM4F90A-TP的TO-252封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的运行温度。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，提高了在高频开关和瞬态负载条件下的可靠性和稳定性。其±20V的栅源电压耐受能力，使其在面对驱动电压波动时仍能保持安全工作，避免栅极氧化层击穿。
最后，SM4F90A-TP在制造过程中采用高质量的硅片和封装材料，确保了器件在高温、高湿和高振动环境下的长期稳定性和耐用性，适用于工业自动化、汽车电子和通信设备等严苛应用环境。
SM4F90A-TP 适用于多种高功率、高效率的电源管理系统。其主要应用包括但不限于：DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动电路、电源管理模块、服务器和通信设备的电源供应单元、工业自动化控制系统以及汽车电子应用如车载充电器和电动工具驱动电路。该器件的高电流能力和低导通电阻特性，使其在需要高效能和高可靠性的电源设计中表现出色。
Si4410DY-T1-GE3, IRF9540NPBF, FDS4410A, AO4406, IPB090N04LC G
