SM4760A是一款由Sanken Electric(三健电机)生产的功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高效能电源系统中。该器件采用先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热稳定性。SM4760A为N沟道增强型MOSFET,通常用于高侧或低侧开关应用,支持较高的电流和电压负载。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):120A(在25°C环境温度下)
导通电阻(Rds(on)):约2.7mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
功率耗散(Pd):250W(最大值)
SM4760A具备多项优异性能,首先其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高整体系统效率。此外,该器件采用了先进的沟槽栅结构,优化了电场分布,从而提高了开关速度和可靠性。该MOSFET在高温环境下仍能稳定工作,得益于其优异的热管理能力和宽工作温度范围。SM4760A的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计,例如同步整流器、电池管理系统和电机驱动器。此外,其封装形式(TO-263)支持良好的散热性能,适用于需要高效散热的应用场景。
SM4760A常用于多种高功率电子系统,包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电源管理系统、电池充放电控制器、电机驱动模块以及工业自动化设备中的电源开关。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、起停系统以及电动助力转向装置。
SiS828DN-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, FDP1324S-7P