SM4310PSKC-TRG是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻、高耐压和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):43A
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ
栅极电荷(Qg):85nC
开关速度:快速开关
工作温度范围(TJ):-55℃至+175℃
SM4310PSKC-TRG具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流能力,支持大功率应用需求。
3. 快速开关特性,减少了开关损耗并提高了高频性能。
4. 高可靠性和稳定性,适合在恶劣环境下使用。
5. 紧凑封装设计,节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
SM4310PSKC-TRG适用于多种电力电子应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的电源管理和控制。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. LED驱动器和其他需要高效功率处理的应用。
SM4310PCK-TRG, IRF4310, FDP4310