SM4039NHKP 是一款由 Sanken(三垦电气)公司制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件主要用于高电流和高功率应用,如电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关。SM4039NHKP 设计用于在高效率和高可靠性要求的应用中提供出色的性能。该器件采用高密度沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))特性。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(Id):40A
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):39mΩ(典型值)
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220AB
SM4039NHKP 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。该器件的高电流容量(40A)和30V的最大漏源电压使其非常适合用于高功率应用,如DC-DC转换器和负载开关。
此外,SM4039NHKP采用了先进的沟槽式MOSFET技术,这不仅提高了器件的电气性能,还增强了热稳定性。该技术有助于降低导通电阻,并优化开关损耗,从而提高整体效率。
该器件的封装形式为TO-220AB,具有良好的散热性能,适用于需要高效散热的电路设计。TO-220封装还提供了良好的机械稳定性和易于安装的特点,适用于多种工业和消费类应用。
SM4039NHKP 还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性,能够在苛刻的工作环境下保持稳定运行。这使其成为电源管理、电机控制和负载切换等应用的理想选择。
SM4039NHKP 广泛应用于需要高电流和高效率的电路中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及电源管理模块。
在 DC-DC 转换器中,SM4039NHKP 可用于高侧或低侧开关,其低 Rds(on) 和高电流能力有助于提高转换器的效率并减少热量产生。在负载开关应用中,该器件可以快速切换高电流负载,提供可靠的开关性能。
由于其高耐用性和抗雪崩能力,SM4039NHKP 也常用于工业控制系统、电动车电池管理系统以及高功率 LED 驱动器等对可靠性要求较高的场合。
Si4410BDY, IRF3710, FDP4039H