时间：2025/8/13 22:02:04
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SM380B-E是一款专为高性能电源管理应用设计的高效能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于DC-DC转换器、电源开关、负载管理以及电机控制等场景。SM380B-E采用先进的沟槽式栅极技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的耐压能力和过流保护特性，适用于要求高可靠性和稳定性的工业级应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：80A
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为5.8mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
SM380B-E采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具备极低的导通电阻，从而显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。该器件的高电流承载能力使其能够应对瞬态高负载需求，适用于大功率应用。此外，SM380B-E具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，增强了系统的可靠性。
该MOSFET的栅极设计优化了开关特性，降低了开关损耗，并减少了电磁干扰（EMI）。其封装形式（TO-263）提供了良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和装配的稳定性。
此外，SM380B-E具备较强的短路和过流保护能力，能够在异常工作条件下提供一定的容错能力，从而延长设备的使用寿命。
SM380B-E广泛应用于各类电力电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制系统以及电源管理模块等。其高效率和高可靠性的特性使其成为电源管理领域的优选器件，尤其适用于对效率和热管理要求较高的高功率密度设计。
IPB080N06N、IRF1404、STP80NF06、FDP80N06S
