时间：2025/8/14 0:43:39
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SM350B是一款由半导体厂商设计制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：35A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大6.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
SM350B采用了先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了效率。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态高压冲击，提高了系统的可靠性和稳定性。
其快速开关特性使其适用于高频应用，如开关电源和同步整流器。TO-263封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接，适用于高功率密度的设计。
SM350B还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至20V），可兼容多种驱动电路设计。
SM350B广泛应用于多种高功率和高频电子系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业电源、服务器电源、UPS（不间断电源）以及太阳能逆变器等。
在电动汽车和新能源领域，SM350B可用于车载充电器、电池保护电路和能量管理系统。此外，它还适用于自动化控制系统中的高边和低边开关，提供高效的功率控制解决方案。
IRF3710, FDP350N10A, SiHF350N10TF
