SM280A-E 是一款广泛应用于电源管理领域的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高功率处理能力。作为一款N沟道MOSFET,SM280A-E适用于多种电源转换应用,如DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制电路等。该器件通常采用TO-252(DPAK)封装形式,具备良好的热管理和可靠性,适合在中高功率密度设计中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):≤2.8mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
SM280A-E 的核心优势在于其出色的导通性能和热稳定性。其低Rds(on)特性有助于减少导通损耗,从而提升系统效率并降低发热量,这在高频率开关应用中尤为重要。
此外,该器件采用了先进的沟槽栅结构,提高了单位芯片面积上的电流承载能力,使得在有限的PCB空间内实现高功率输出成为可能。
TO-252封装不仅提供了良好的散热性能,还具备较高的机械稳定性和易于焊接的特性,适合自动化生产和批量应用。
SM280A-E 的栅极驱动电压范围较宽(通常为10V~20V),允许使用标准驱动电路进行控制,提升了设计的灵活性。
该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护作用,增强了系统的可靠性。
在热管理方面,SM280A-E的设计确保了在高负载条件下仍能保持稳定工作温度,从而延长器件寿命并减少系统散热设计的复杂度。
SM280A-E 主要用于需要高效能功率开关的各类电子设备中。典型应用包括但不限于:
1. DC-DC降压/升压转换器,特别是在高电流输出需求的电源模块中。
2. 同步整流电路,用于提高AC-DC电源转换效率。
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
4. 电机驱动器和电动工具中的功率控制部分。
5. 负载开关电路,用于实现对负载的快速通断控制。
6. 服务器和通信设备的电源管理单元中。
由于其高电流能力和低导通损耗,SM280A-E特别适合用于对效率和热管理有较高要求的应用场景。
SiSS280A, IRF280B, NexFET CSD17551Q5B