SM250A是一款高性能、低功耗的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用先进的工艺制造,具有优异的导通电阻和开关特性,能够在高频率下稳定工作,适用于对效率和热性能有严格要求的应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):10A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):30mΩ(典型值)
功率耗散(Pd):40W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
SM250A具有低导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流条件下也能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统效率。该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现更快的开关速度,减少开关损耗,适用于高频开关应用。此外,SM250A具备较高的热稳定性,能够在较高温度下稳定运行,延长设备的使用寿命。其采用TO-252(DPAK)封装,便于安装和散热管理,适合表面贴装工艺。器件还具有良好的短路耐受能力,适用于需要高可靠性的电源系统。由于其优异的电气性能和稳定性,SM250A广泛用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电源管理单元等场景。
在电气特性方面,SM250A在25°C环境温度下的最大连续漏极电流可达10A,漏源击穿电压为30V,栅源电压范围为±20V,确保了在多种工作条件下的稳定性和安全性。其低阈值电压(Vgs(th))使得该器件能够与低压控制器兼容,便于设计低功耗系统。同时,SM250A的反向恢复时间较短,有助于提高开关效率并减少电磁干扰(EMI)。这些特性使得SM250A成为高性能电源设计中的理想选择。
SM250A常用于各类电源管理系统,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。在工业自动化、通信设备、消费电子产品和汽车电子中均有广泛应用。其优异的导通性能和热稳定性使其特别适合用于高效率、高频开关应用,如开关电源(SMPS)、LED驱动器、电机控制电路以及便携式设备中的功率管理模块。此外,SM250A也适用于需要快速开关和低损耗的电源管理场景,如电源适配器、UPS(不间断电源)系统以及储能设备中的功率控制部分。
Si2302DS, AO3400, IRFZ44N