SM24 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效功率转换和控制的电子电路中。该器件基于先进的 STripFET? 技术制造,具备低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性。SM24 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等应用,能够承受较高的电流和电压应力。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):30V
最大栅源电压 (Vgs):20V
最大连续漏极电流 (Id):180A(在 Tc=25°C)
导通电阻 (Rds(on)):1.7mΩ(典型值,Vgs=10V)
最大功率耗散 (Ptot):120W(在 Tc=25°C)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
SM24 采用先进的沟槽式功率 MOSFET 设计,具有极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。其高电流承载能力和出色的热性能使其能够在高功率密度应用中稳定运行。此外,该器件具有良好的雪崩能量承受能力,增强了在高应力环境下的可靠性。SM24 采用 TO-263(D2PAK)封装形式,便于安装和散热管理,适用于表面贴装技术(SMT)。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平,方便与微控制器或其他控制电路连接。
在封装和热管理方面,SM24 的 D2PAK 封装提供了较大的散热面积,能够有效将热量传导至 PCB 或散热片,提升整体散热性能。这种封装还具有良好的机械强度和耐久性,适用于工业级和汽车电子应用。同时,该器件具备较高的短路耐受能力,可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,提升了系统的鲁棒性。SM24 还具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,提高开关速度,从而进一步提升电源转换效率。
SM24 主要应用于需要高效功率管理的电路中,例如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、服务器电源、电信设备电源、电动工具、电动车电池管理系统以及工业电机控制。由于其高可靠性和出色的热性能,该器件也常用于汽车电子系统中,如车载充电器、起停系统和车身控制模块。此外,在可再生能源系统(如太阳能逆变器和储能系统)中,SM24 也被广泛用于功率转换和能量管理。
IRF1404, SiR140DP, FDP1404, IPB013N03LA