SM140A-E 时间：2025/8/13 23:04:58 阅读：18

SM140A-E 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型晶体管。该器件主要用于高频率开关应用，例如电源转换器、DC-DC变换器、电机控制和负载开关等。SM140A-E 具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用先进的平面工艺技术，具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：140A（在25℃）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　导通电阻(Rds(on) max)：3.7mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-247
　　安装类型：通孔安装

特性

SM140A-E 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。由于采用了先进的制造工艺，该器件在高温下依然能够保持稳定的性能，具备良好的热管理能力。
　　此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，能够在短时间内承受较大的瞬态电流，适用于需要高功率密度的设计。其高栅极电压容限（±20V）提供了更好的设计灵活性，避免因过高的栅极电压而损坏器件。
　　SM140A-E 采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于高功率应用场景。其封装设计也便于焊接和安装，提高了产品的可靠性和可制造性。
　　该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车电子应用，具备较高的可靠性和长期稳定性。

应用

SM140A-E 广泛应用于多种高功率电子设备中，如电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、负载开关、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电模块）等。其低导通电阻和高电流承载能力使其特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计。
　　在电动汽车领域，SM140A-E 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电机控制器等关键模块。在工业自动化中，该器件可用于高性能电机驱动器和电源管理系统，以提高系统的整体效率和稳定性。
　　此外，该MOSFET还可用于不间断电源（UPS）、电信电源系统以及服务器电源模块等应用场景，满足对高可靠性和高效率的严格要求。