类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约180nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

SM13100EL具有多项优异的电气和热性能特性，使其在功率电子设计中具有很高的竞争力。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下器件的功率损耗最小化，从而提高了系统效率并减少了散热需求。该器件的Rds(on)最大仅为8.5mΩ，这在同类产品中属于领先水平。
　　其次，SM13100EL具备高电流承载能力，最大漏极电流可达100A，适用于高功率应用场景，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。
　　此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，如TO-220和D2PAK，具有良好的热管理性能，有助于在高负载条件下保持稳定的温度表现，从而提升系统的可靠性和寿命。
　　SM13100EL还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬态电压冲击和高能脉冲，适用于严苛的工作环境。其栅极驱动电压范围宽（±20V），支持灵活的驱动电路设计，并具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并降低开关损耗。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子制造中对无铅和环保材料的要求。

SM13100EL因其高性能和高可靠性，广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 电源管理：如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关等；
　　2. 工业控制系统：如PLC（可编程逻辑控制器）、工业变频器、伺服驱动器等；
　　3. 电动车辆系统：如电池管理系统（BMS）、车载充电器、电机控制器等；
　　4. 通信设备：如基站电源模块、网络交换设备中的功率分配系统；
　　5. 家用电器与消费电子产品：如高端电源适配器、LED驱动电源、高功率便携设备等。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，SM13100EL特别适用于需要高效能和高稳定性的高功率密度设计。

IRF1405, FDP1300N08A, IPW90R120I-ATMA1