工作电压：5V
　　最大反向工作电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：6.4V ~ 7.11V（测试电流为1mA）
　　最大钳位电压（VC）：13.3V（在峰值脉冲电流IPP=2.69A时）
　　峰值脉冲电流（IPP）：2.69A（8/20μs波形）
　　最大反向漏电流（IR）：小于100nA
　　响应时间（tRESP）：小于1ps（典型值）
　　封装形式：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

SM05.TC/L/T 采用先进的硅雪崩二极管技术，具备卓越的瞬态电压抑制能力。该器件具有极低的工作电压，非常适合用于5V及以下供电系统的电路保护。其快速响应时间确保了在瞬态事件发生的瞬间就能迅速动作，将电压限制在安全范围内，从而防止敏感电子元件受到损坏。
　　该TVS器件采用了紧凑的SOD-123表面贴装封装，节省PCB空间并便于自动化装配。此外，其无铅（RoHS兼容）设计符合现代电子制造的环保要求。SM05.TC/L/T 在设计上优化了钳位性能和能量吸收能力，使其在面对ESD事件（如IEC 61000-4-2规定的±8kV接触放电和±15kV空气放电）时仍能保持稳定可靠的保护性能。
　　器件内部结构确保在正常工作条件下呈现高阻态，不影响电路的正常运行；而在过压条件下则迅速切换到低阻导通状态，泄放瞬态能量。该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性，适用于各种严苛环境条件下的应用。

SM05.TC/L/T 主要用于保护低压电子设备中的敏感元件，例如便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）、通信设备（如以太网接口、USB端口）、工业控制系统以及汽车电子模块。其典型应用包括数据线、电源线和控制信号线的ESD保护。
　　在USB 2.0和USB 3.0接口中，该器件可用于保护主机和外设免受静电放电和电压瞬变的影响。此外，在以太网、HDMI、RS-485等高速通信接口中，SM05.TC/L/T也能有效抑制由于雷击、开关瞬态或静电积累引发的电压尖峰，防止通信中断或硬件损坏。
　　该器件也常用于电池管理系统（BMS）、传感器接口和嵌入式控制系统中，为这些系统提供可靠的数据线和电源线保护。由于其低电容特性，SM05.TC/L/T 还适合用于高速信号线路保护，而不会显著影响信号完整性。

PESD5V0S1BA, NUP05SN05CTR-F