SM-8250-0-MPSP1099-TR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等高效率、低损耗场景。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,能够在高频工作条件下保持高效运行。
其封装形式为行业标准 TO-263(DPAK),具备良好的散热性能和电气隔离特性,适用于多种工业及消费类电子应用。
型号:SM-8250-0-MPSP1099-TR
类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压 Vds:80V
最大栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id:48A
导通电阻 Rds(on):3.8mΩ(典型值)@ Vgs=10V
总功耗:130W
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装:TO-263 (DPAK)
SM-8250-0-MPSP1099-TR 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效降低导通损耗,提升系统整体效率。
2. 快速的开关速度和低输入电容,适合高频应用环境。
3. 高额定电流能力,支持大功率负载驱动。
4. 强大的热性能设计,确保在极端温度条件下稳定工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的可靠性。
7. 封装兼容性良好,便于 PCB 布局设计和生产装配。
该芯片的应用领域非常广泛,主要包括以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 各类电机驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
5. 汽车电子系统中的电池管理系统(BMS)和逆变器。
6. 可再生能源领域,如太阳能微逆变器中的功率转换部分。
SM8250-0MPSP1099TR, IRF8250PBF, FDP058N08S