型号：SLPS5020-100M-N
　　最大漏源电压(VDS)：100V
　　最大连续漏极电流(ID)：20A
　　导通电阻(RDS(on))：50mΩ
　　栅极电压(VGS)：10V
　　功率耗散(PD)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　输入电容(Ciss)：1100pF
　　输出电容(Coss)：350pF
　　反向恢复时间(trr)：25ns

SLPS5020-100M-N具有极低的导通电阻，这使得其在高电流条件下能够保持较低的功耗，从而提高整体效率。此外，该器件的栅极电荷(Qg)较低，有助于在高频开关应用中减少驱动损耗。其封装形式采用标准的TO-220设计，便于散热和安装，适合多种电路设计需求。
　　该器件还具备良好的热稳定性和抗过载能力，在高负载情况下仍能保持稳定工作。SLPS5020-100M-N采用了先进的沟槽式MOSFET结构，进一步优化了性能并减少了开关损耗。此外，该器件具有较高的短路耐受能力，适用于要求严苛的应用环境。
　　在电气性能方面，SLPS5020-100M-N的漏极-源极击穿电压为100V，可满足中高压电源转换需求。其快速的开关速度和低反向恢复时间使其在同步整流和DC-DC转换器中表现出色，能够显著提高转换效率并减少发热。

SLPS5020-100M-N广泛应用于各类需要高效电源转换的电子设备中，包括但不限于：通信电源系统、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电动汽车充电器、LED驱动器以及各种高效率DC-DC转换器。由于其优异的性能和可靠性，该器件也非常适合用于需要高稳定性和高效率的嵌入式电源管理系统中。
　　在同步整流电路中，SLPS5020-100M-N可以有效替代传统的肖特基二极管，从而显著提高转换效率，并减少热量产生。在电机驱动和负载开关应用中，该器件的高耐压和大电流能力使其成为理想选择。同时，由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件也非常适用于高频开关电源的设计。

SiR100DP, IRF3205, FDS6680, IPB025N10N3G