SLMESD5V0D3 是一款基于硅技术的高性能 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态过压事件的影响。该器件具有低电容特性,适合高速数据线和信号线的保护应用,例如 USB、HDMI、以太网等接口。其设计符合 IEC 61000-4-2 标准,能够承受高达 ±15kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
工作电压:5V
峰值脉冲电流:±12A(8/20μs波形)
箝位电压:≤7.5V
动态电阻:≤1Ω
结电容:≤3pF
响应时间:≤1ns
封装形式:DFN1006-2
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 高度集成化设计,体积小,适用于空间受限的应用场景。
2. 低结电容特性使其成为高速数据线路的理想选择。
3. 快速响应时间可以有效抑制瞬态过压事件,确保被保护电路的安全。
4. 具备出色的重复浪涌能力,能够在多次浪涌冲击下保持性能稳定。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
6. 工作电压精准,能适配多种应用场景的需求。
7. 封装形式紧凑,易于安装与焊接,适合自动化生产流程。
广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制领域中的各种接口保护,如:
1. USB 2.0/3.0 数据线保护。
2. HDMI、DisplayPort 视频接口防护。
3. 以太网 PHY 层端口保护。
4. 移动设备(手机、平板电脑)充电接口防护。
5. GPS 模块及其他射频信号线保护。
6. 工业总线及 CAN 总线接口保护。
PESD5V0X1B, SM712, SMAJ5.0A