时间：2025/8/6 4:57:19
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SLMD121H04L是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET功率晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高功率密度和高效率的应用设计，具备良好的导通电阻和开关性能。SLMD121H04L通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景，适用于需要高可靠性和高性能的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：1.2mΩ（典型值）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：双排扁平无引脚封装（Dual Cool MOS）
SLMD121H04L具备极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其高电流容量和低RDS(on)特性使其在高功率应用中表现优异。此外，该器件采用先进的封装技术，提供优异的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。SLMD121H04L还具备良好的热稳定性和抗短路能力，适用于恶劣工作环境。此外，其栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，从而进一步提高了能效。这些特性使得该MOSFET非常适合用于高性能电源转换系统。
SLMD121H04L的双排扁平无引脚封装（Dual Cool MOS）不仅减少了封装尺寸，还通过底部散热焊盘提高了散热效率。这种封装方式使得器件可以安装在PCB的顶层或底层，并通过散热过孔进行有效的热管理。该封装设计有助于提高印刷电路板（PCB）的布线灵活性，同时降低了寄生电感和电阻，从而提升了整体的电气性能。此外，SLMD121H04L的高可靠性和长寿命使其成为工业设备、汽车电子系统和通信设备的理想选择。
SLMD121H04L广泛应用于多个领域，包括但不限于高性能DC-DC降压/升压转换器、服务器电源、电动车辆（EV）充电系统、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及高功率负载开关。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统以及通信基础设施设备。由于其优异的热管理和电气性能，该MOSFET也常用于高频开关电源设计中，以实现更高的功率密度和更低的系统成本。
TKA120N40Z,TMWS120N40Z
