时间：2025/12/24 15:48:28
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SLM150N04G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的功率 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于各种电源管理领域，例如 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动等。SLM150N04G 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体取决于制造商的规格。
这款 MOSFET 的主要特点是其出色的电气性能和可靠性，使其成为需要高效能和高稳定性的电路的理想选择。通过优化的芯片设计，SLM150N04G 能够提供更低的功耗以及更高的系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：150A
栅极阈值电压：2V 至 4V
导通电阻（典型值）：1.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
输入电容：1700pF
总栅极电荷：38nC
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 较高的漏极电流能力，支持大功率负载需求。
4. 紧凑型封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 内置反向二极管，可有效防止反向电流对电路造成损害。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中作为功率开关或续流二极管替代品。
3. 电机驱动电路中的桥式配置元件。
4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统中的功率转换组件。
5. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
6. 各类电池管理系统中的保护和均衡功能实现。
STMicroelectronics - STP150N04
Infineon Technologies - IPP150N04N4L4
ON Semiconductor - NTBSP150N04L
Fairchild Semiconductor - FDP150N04A
