时间：2025/7/4 23:28:08
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SLG7NT4375V 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 SOT-23 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于便携式设备、电源管理电路以及信号切换等应用。此外，它还具有出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
这款 MOSFET 的设计使其能够支持高效率的电流传输，并且由于其低电容特性，在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：0.12Ω（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：4.5nC（典型值）
输入电容：100pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。
2. 小型化封装（SOT-23），节省 PCB 空间。
3. 高开关速度，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，可适应各种恶劣环境。
5. 宽工作温度范围，适用于工业级和汽车级应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 电源管理模块中的同步整流和 DC-DC 转换。
3. 电池保护电路中的过流保护和短路保护。
4. 电机驱动和信号切换。
5. 各类消费类电子产品中的功率控制与分配。
6. 工业自动化设备中的开关控制功能。
AO3400
FDMQ8203
IRLML6401
