SLG7NT4375V 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化的 SOT-23 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于便携式设备、电源管理电路以及信号切换等应用。此外,它还具有出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
这款 MOSFET 的设计使其能够支持高效率的电流传输,并且由于其低电容特性,在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:1.9A
导通电阻(Rds(on)):0.12Ω(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:4.5nC(典型值)
输入电容:100pF(典型值)
工作温度范围:-55℃至150℃
1. 低导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
2. 小型化封装(SOT-23),节省 PCB 空间。
3. 高开关速度,适合高频应用。
4. 良好的热稳定性,可适应各种恶劣环境。
5. 宽工作温度范围,适用于工业级和汽车级应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 电源管理模块中的同步整流和 DC-DC 转换。
3. 电池保护电路中的过流保护和短路保护。
4. 电机驱动和信号切换。
5. 各类消费类电子产品中的功率控制与分配。
6. 工业自动化设备中的开关控制功能。
AO3400
FDMQ8203
IRLML6401