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SLG7NT4375V 发布时间 时间:2025/7/4 23:28:08 查看 阅读:8

SLG7NT4375V 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化的 SOT-23 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于便携式设备、电源管理电路以及信号切换等应用。此外,它还具有出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  这款 MOSFET 的设计使其能够支持高效率的电流传输,并且由于其低电容特性,在高频开关应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻(Rds(on)):0.12Ω(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:4.5nC(典型值)
  输入电容:100pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 低导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
  2. 小型化封装(SOT-23),节省 PCB 空间。
  3. 高开关速度,适合高频应用。
  4. 良好的热稳定性,可适应各种恶劣环境。
  5. 宽工作温度范围,适用于工业级和汽车级应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

1. 便携式电子设备中的负载开关。
  2. 电源管理模块中的同步整流和 DC-DC 转换。
  3. 电池保护电路中的过流保护和短路保护。
  4. 电机驱动和信号切换。
  5. 各类消费类电子产品中的功率控制与分配。
  6. 工业自动化设备中的开关控制功能。

替代型号

AO3400
  FDMQ8203
  IRLML6401

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SLG7NT4375V参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥5.88000剪切带(CT)3,000 : ¥2.28242卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 逻辑类型-
  • 供电电压3V ~ 3.6V
  • 位数-
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳12-UFQFN
  • 供应商器件封装12-STQFN(1.6x1.6)