SLG7NT4180V 是一款由 SemiLeq 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种高效率电源转换场景。其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装应用。SLG7NT4180V 的额定电压为 40V,能够提供高达 180A 的持续电流输出。
这种功率 MOSFET 主要用于工业、汽车和消费电子领域,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:180A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷(典型值):95nC
输入电容:3080pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
结温:175°C
封装类型:TO-263(D2PAK)
SLG7NT4180V 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 较高的开关速度,可满足高频开关应用的需求。
3. 高电流承载能力,使其非常适合大功率应用。
4. 稳定的热性能,确保在高温环境下也能正常运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
6. 良好的 ESD 保护设计,提高了器件的可靠性。
7. 封装坚固耐用,适合自动化生产和严苛的工作环境。
该功率 MOSFET 可广泛应用于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业设备中的负载开关与保护电路。
4. 汽车电子系统中的电源管理模块。
5. 高效 DC-DC 转换器的设计。
6. 大功率 LED 驱动电路。
7. 各类电池管理系统(BMS)。