时间：2025/9/6 11:37:16
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SLF4N65C是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源转换、开关电源（SMPS）、电机控制和高功率电子设备中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合在高温环境下运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值，具体取决于测试条件）
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220、TO-252等
SLF4N65C具备多项优良特性，包括高击穿电压（650V），这使其适用于高电压应用，例如电源适配器、LED驱动器和功率因数校正（PFC）电路。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，SLF4N65C还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了器件的可靠性和寿命。该MOSFET采用了先进的平面技术，具有优异的开关性能，适用于高频开关应用。SLF4N65C还具备较高的抗雪崩能力，能够承受短时间的过载和瞬态电压冲击，进一步提高了系统的稳定性。
SLF4N65C常用于各类高电压和高功率应用中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、交流-直流整流器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。其高耐压特性和低导通电阻也使其成为光伏逆变器和储能系统中的理想选择。
SLF4N65C的替代型号包括STP4NK60Z、FQP4N60C和IRFBC415。
