时间：2025/6/22 7:29:50
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SLF2N65S 是一款高性能的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高电压和高频率应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
该器件的最大额定电压为 650V，能够承受较高的漏源电压，同时具备优秀的热稳定性和可靠性，确保在严苛的工作环境下仍能保持稳定的性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：3.6Ω
栅极电荷：15nC
开关时间：ton=47ns, toff=29ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高电压能力，最大漏源电压达 650V。
2. 较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关特性，适合高频应用。
4. 出色的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 小封装设计，节省电路板空间。
6. 具备抗雪崩能力，提高了器件的鲁棒性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和逆变器应用。
4. 工业控制设备中的电子开关。
5. 充电器和适配器中的功率转换元件。
6. 各种需要高压高速开关的应用场景。
STP8NK65Z,
IRF640,
FDP18N65C,
IXYS IXFN65S10P
