时间：2025/5/24 20:31:04
阅读：25
SLF2N60UZ是一种高性能的N沟道功率MOSFET，采用先进的制造工艺，专为高效率和高可靠性应用而设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。其耐压高达600V，能够承受较高的电压波动，同时具备优秀的雪崩能力和抗静电能力，确保在恶劣环境下的稳定运行。
SLF2N60UZ采用TO-220封装形式，便于安装和散热管理，适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
导通电阻（典型值）：3.5Ω
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
功耗：18W
工作温度范围：-55℃~+150℃
1. 高耐压能力：600V的漏源电压使其适用于高压电路环境。
2. 低导通电阻：典型值仅为3.5Ω，降低导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关特性：具备较低的输入电容和输出电容，减少开关损耗。
4. 优异的热稳定性：能够在高温环境下长期稳定工作。
5. 强大的雪崩能力：在短路或过载情况下提供额外保护。
6. 小型化设计：TO-220封装形式便于集成到各类终端产品中。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统
5. 工业自动化设备
6. 照明控制系统
7. 汽车电子辅助设备
8. 其他需要高压开关的应用领域
STP2N60, IRF640N, FDP18N60C
