时间：2025/6/26 23:11:06
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SLF20N65S是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动等应用领域。其额定电压为650V，能够承受较高的反向电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：95nC
输入电容：1640pF
反向恢复时间：55ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
SLF20N65S采用了先进的半导体工艺制造，具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：650V的漏源电压使其适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为0.18Ω，从而减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：由于其较小的栅极电荷和快速的反向恢复时间，使得器件能够在高频应用中表现出优异的性能。
4. 良好的热稳定性：该器件具有较高的结温工作范围，确保在高温环境下依然保持可靠的运行状态。
5. 强大的电流承载能力：支持高达20A的连续漏极电流，满足大功率应用场景的需求。
6. TO-247封装：这种封装形式便于散热，同时提供稳固的机械连接，适合工业级和商业级应用。
SLF20N65S广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能的AC-DC或DC-DC转换。
2. 工业控制：如伺服驱动、变频器等需要精确控制电流和电压的场合。
3. 新能源系统：太阳能逆变器、风力发电变流器等可再生能源相关设备。
4. 电机驱动：特别是大功率直流无刷电机驱动。
5. 电动汽车充电站：作为核心功率器件参与高压转换与调控。
6. 能量存储系统：用于电池管理系统中的充放电管理部分。
STP20NM65, IRFP260N, FDP18N65C
