时间：2025/6/12 17:07:14
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SLF10N60C是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用超结技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
该芯片的主要特点是能够在高频条件下提供高效的功率转换，同时保持较低的功耗。其600V的额定电压使其非常适合高压环境下的应用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：0.24Ω
栅极电荷（典型值）：45nC
输入电容（典型值）：1590pF
反向恢复时间：85ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 超结技术实现低导通电阻与高击穿电压的完美结合。
2. 极低的开关损耗，适合高频应用。
3. 快速的反向恢复特性，减少开关过程中的能量损失。
4. 高雪崩能力，提升器件在异常条件下的可靠性。
5. 小尺寸封装，便于PCB布局设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 工业控制设备
6. LED照明驱动电路
7. 充电器及适配器
8. 各类高压开关电路
STF10N60K5, IRFB40N60C, FDP15N60E
