时间：2025/11/21 14:51:52
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SLF10145T-680M1R2-PF是一款由Sunlord（顺络电子）生产的多层铁氧体磁珠阵列，主要用于高频电路中的噪声抑制和信号完整性优化。该器件属于表面贴装型（SMD）滤波元件，广泛应用于高速数字电路、射频（RF）模块、电源管理单元以及通信设备中。其结构由多个独立的铁氧体磁珠集成在一个小型化封装内，能够在不影响信号传输质量的前提下，有效吸收高频噪声并将其转化为热能释放，从而提升系统的电磁兼容性（EMC）。
该型号命名遵循Sunlord的标准编码规则：SLF代表多层铁氧体磁珠系列；10145表示尺寸规格为1.0×0.5mm（即01005英寸尺寸）；T可能表示编带包装形式；680M表示单个通道的标称阻抗为68Ω（在100MHz下）；1R2表示额定电流为1.2A；PF可能指符合RoHS环保标准且无铅（Pb-free）的工艺要求。这种高密度集成设计特别适合对空间极为敏感的便携式电子产品，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端等。
产品类型：铁氧体磁珠阵列
通道数：4
封装尺寸：1.0mm × 0.5mm × 0.55mm (EIA 01005)
直流电阻(DCR)：最大1.2Ω
额定电流：1.2A
阻抗值@100MHz：68Ω ±20%
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
绝缘电阻：≥100MΩ
耐压：≥50V
屏蔽类型：无屏蔽（表面贴装）
安装方式：回流焊适用
SLF10145T-680M1R2-PF采用先进的低温共烧陶瓷（LTCC）工艺制造，结合高性能镍锌（NiZn）铁氧体材料，具备优异的高频噪声抑制能力。其核心优势在于将四个独立的68Ω磁珠集成于仅1.0×0.5mm的微型封装中，极大节省了PCB布局空间，同时保证各通道间良好的电气隔离与低串扰特性。每个通道具有低直流电阻（典型值低于1.2Ω），确保在通过高达1.2A直流电流时温升可控，避免因IR损耗导致性能下降或过热风险。该器件在100MHz频率下的阻抗稳定在68Ω左右，并在更宽频段（如200MHz至1GHz）保持较高的阻抗平台，适用于抑制开关噪声、时钟谐波及射频干扰等多种复杂电磁环境。
此外，该磁珠阵列表现出极佳的温度稳定性与长期可靠性，在-40°C至+125°C的工作范围内电气参数变化小，满足工业级与消费类电子严苛的应用需求。其端电极采用多层金属化结构（如Cu/Ni/Sn），增强了焊接强度与抗机械应力能力，适用于自动化贴片生产线。器件符合RoHS与REACH环保指令要求，不含卤素，支持无铅回流焊接工艺。由于其低电感残余特性，不会对高速信号边沿造成明显延迟或失真，因此可用于USB、I2C、SPI、MIPI等差分或单端信号线路的EMI滤波。整体设计兼顾高性能、小型化与生产兼容性，是现代高密度电子系统中理想的噪声抑制解决方案。
广泛应用于移动通信设备中的射频前端模块、基带处理器周边电路、摄像头模组接口、显示屏驱动线路以及无线连接芯片（如Wi-Fi、蓝牙、NFC）的电源去耦与信号滤波。适用于便携式智能终端如智能手机、平板电脑、智能手表和TWS耳机等对空间和功耗高度敏感的产品。也可用于高速数字电路板上的I/O端口保护、时钟线路净化以及ADC/DAC参考电压路径的噪声隔离。在工业控制与汽车电子领域，该器件可用于传感器信号调理电路、CAN/LIN总线接口防护及车载信息娱乐系统的EMC优化设计。此外，在FPGA、ASIC和微控制器单元（MCU）的外围电路中，常被用作多路电源轨的并联滤波元件，以降低交叉干扰并提升系统稳定性。其四通道结构特别适合需要集中处理多条并行信号线噪声的场景，例如并行数据总线、RGB显示接口或多通道音频传输路径。通过合理布局与匹配设计，能够显著改善系统的电磁发射（EMI）表现并增强对外部干扰的抗扰度（EMS）。
SLF10145T-680M1R2
