时间：2025/4/28 15:09:43
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SLE95050F2-0320 是一款基于硅技术制造的高频射频功率晶体管，专为无线通信、雷达和工业应用中的高效率功率放大设计。该器件采用先进的场效应晶体管（FET）结构，能够提供卓越的增益和输出功率性能。其封装形式经过优化，可实现良好的热管理和电气连接。
SLE95050F2-0320 主要应用于 S 波段的射频系统中，工作频率范围通常在 2 至 4 GHz 之间。它具有高线性度和稳定性，是现代射频功率放大的理想选择。
型号：SLE95050F2-0320
类型：射频功率晶体管
工作频率范围：2 - 4 GHz
最大输出功率：32 W (典型值)
增益：10 dB (典型值)
电源电压：28 V
静态电流：6 A (典型值)
封装形式：FLATPACK
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
特征阻抗：50 Ω
输入回波损耗：≥ 15 dB
输出回波损耗：≥ 15 dB
SLE95050F2-0320 的主要特性包括高输出功率、宽频带覆盖以及出色的线性性能。其采用扁平封装设计，有助于减少寄生电感，从而提升整体效率。此外，该器件还具备低热阻特性，确保长时间运行时的可靠性。通过内置匹配网络，该晶体管能够简化外部电路设计并降低复杂性。
该器件在高功率射频应用中表现出色，尤其是在需要稳定性和一致性的场景下，例如军事通信设备、气象雷达和卫星通信等。同时，它也适用于工业加热和等离子体生成等非通信领域。
由于其优异的热管理性能和坚固的构造，SLE95050F2-0320 可以在恶劣环境下持续运行，适合各种户外或极端条件下的应用。
SLE95050F2-0320 广泛用于以下领域：
1. 军用和民用雷达系统
2. 无线通信基站
3. 卫星通信终端
4. 工业微波加热设备
5. 等离子体发生器
6. 医疗成像设备
7. 高功率射频测试仪器
这些应用充分利用了 SLE95050F2-0320 的高效率、大功率输出能力和宽频带支持能力。
SLE95050F2-0250
SLE95050F2-0350
SLE95050F2-0400
