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SLDA92-2R660G 发布时间 时间:2025/12/28 10:39:05 查看 阅读:11

SLDA92-2R660G是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,专为高密度、高性能的电源管理和信号处理应用设计。该器件采用紧凑的PowerPAK 1212-8S封装,集成了两个独立的肖特基二极管,具有低正向压降和快速开关特性,适用于需要高效能和小尺寸解决方案的现代电子设备。SLDA92-2R660G特别适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源反向保护以及电池供电系统中的功率管理电路。其结构优化了热性能和电气性能,在有限的空间内提供了卓越的电流处理能力和可靠性。该器件符合RoHS标准,并且具备无卤素(Halogen-free)和符合AEC-Q101汽车级认证的特点,使其广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备及车载电子系统中。

参数

产品类型:双通道肖特基势垒二极管
  配置:双独立二极管
  最大重复反向电压(VRRM):2.6V
  最大直流反向电压(VR):2.6V
  峰值脉冲电流(IFSM):60A
  每芯片正向电流(IF):30A
  正向电压(VF):典型值1.05V(在30A时)
  反向漏电流(IR):最大100μA(在25°C下)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  封装类型:PowerPAK 1212-8S
  安装方式:表面贴装(SMD)
  引脚数:8
  热阻(RθJA):约2.5°C/W(依PCB布局而定)
  湿气敏感度等级(MSL):1级(<=30°C / 85%RH)

特性

SLDA92-2R660G的核心优势在于其集成化的双肖特基二极管设计与先进的PowerPAK封装技术相结合,实现了在极小占位面积下的高效功率处理能力。每个二极管可承载高达30A的连续正向电流,同时保持较低的正向导通压降,典型值仅为1.05V,显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。这种低VF特性对于便携式设备和高密度电源模块尤为重要,有助于延长电池寿命并减少散热需求。
  该器件采用了先进的沟道隔离工艺,有效提升了反向击穿电压的稳定性和抗浪涌能力。尽管其标称反向电压为2.6V,但在瞬态条件下可承受高达60A的非重复峰值电流,表现出优异的瞬态响应能力和系统鲁棒性。此外,由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应,因此具备极快的开关速度,几乎无反向恢复时间(trr),避免了传统PN结二极管在高频开关应用中常见的能量损耗和电磁干扰问题。
  PowerPAK 1212-8S封装不仅体积小巧(约3.3mm x 2.4mm),还通过底部裸露焊盘实现优异的热传导性能,使热量能够高效传递至PCB,从而支持长时间大电流运行。该封装兼容标准回流焊工艺,便于自动化生产。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,可在严苛环境条件下稳定工作,适用于车载充电系统、LED驱动和电机控制等对可靠性和耐久性要求极高的场景。同时,其无铅、无卤素的设计满足现代环保法规要求,适合全球市场的合规性需求。

应用

SLDA92-2R660G广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率二极管的电子系统中。典型应用场景包括同步整流DC-DC转换器中的续流或钳位二极管,特别是在多相 buck 转换器架构中,其低正向压降和高电流能力可显著提升转换效率。在负载开关和热插拔电路中,该器件可用于防止反向电流流动,保护主电源路径。此外,它也常用于电池供电设备中的电源路径管理,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,实现主电池与备用电源之间的隔离与切换。
  在汽车电子领域,SLDA92-2R660G被用于车身控制模块、信息娱乐系统和ADAS(高级驾驶辅助系统)的电源管理单元,提供可靠的电压箝位和瞬态抑制功能。由于其具备出色的热性能和机械稳定性,也可部署于工业电源、服务器电源和电信基础设施设备中,作为高频整流元件或OR-ing二极管使用。在LED照明驱动电路中,该器件可用于防止反向电压损坏LED串,同时降低功耗。总之,任何需要高电流密度、低损耗和小型化封装的功率应用均可考虑采用SLDA92-2R660G作为关键元件。

替代型号

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