时间：2025/6/23 11:40:18
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SLB13N50C是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换应用。该器件采用N沟道增强型技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高效率功率转换场景。
SLB13N50C的封装形式通常为TO-220，这种封装方式能够有效散热并适应多种电路设计需求。其额定电压高达500V，使其能够在较高电压环境下稳定工作。
最大漏源电压：500V
最大连续漏极电流：13A
栅极电荷：47nC
导通电阻：1.8Ω
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
SLB13N50C具备以下显著特性：
1. 高额定电压：可承受高达500V的工作电压，适用于各种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为1.8Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能：由于其优化的内部结构设计，可以实现快速的开关操作，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性：工作温度范围广，从-55℃到150℃，适合苛刻环境下的使用。
5. 高可靠性：通过严格的测试流程，确保长期运行中的稳定性与耐用性。
6. 封装兼容性好：TO-220封装便于安装，并且提供良好的散热能力。
SLB13N50C广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器等产品中的功率开关元件。
2. 电机驱动：用于控制各类直流无刷电机或步进电机的启停及调速。
3. 逆变器：作为关键功率器件，在光伏逆变器、不间断电源（UPS）等领域发挥重要作用。
4. 工业自动化设备：如PLC控制器、伺服驱动器中的功率输出级。
5. 汽车电子：可用于汽车启动系统、车载充电器以及其他车载电器的控制电路中。
STP13NF50,
IRF540N,
FQP13N50,
IXTH13N50P3
