类型：N 沟道
　　最大漏极电流 (ID)：200A
　　最大漏源电压 (VDS)：60V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：1.75mΩ（典型值）
　　功耗 (PD)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6、TO-247、TO-220

SKVC20460 的核心优势在于其超低导通电阻，使得在大电流应用中能够显著降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具备出色的热管理能力，即使在高功率密度环境中也能保持稳定运行。其先进的封装技术（如 PowerFLAT）不仅减小了 PCB 占用面积，还提高了散热性能，从而延长了器件的使用寿命。
　　另一个关键特性是该 MOSFET 具有高抗雪崩能力和出色的短路耐受性，使其在极端工作条件下也能保持可靠性。此外，SKVC20460 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提升了设计灵活性。
　　在保护特性方面，该器件具有良好的抗静电（ESD）能力和过温保护性能，适用于汽车电子、工业自动化和高可靠性系统。其高电流能力和快速开关特性，也使其适用于同步整流、DC-DC 转换器和电机驱动等高频应用。

SKVC20460 主要应用于高性能电源管理系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. 工业自动化和电机控制：用于电机驱动器、逆变器和伺服控制系统中，提供高效、可靠的功率开关。
　　2. 电源转换设备：如 DC-DC 转换器、同步整流模块和高效率电源适配器。
　　3. 电池管理系统：用于电动工具、储能系统和新能源汽车中的电池充放电控制。
　　4. 负载开关和电源管理模块：在高电流负载切换和热插拔系统中提供快速响应和低损耗性能。
　　5. 汽车电子：适用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等高可靠性场景。

STL200N6F7AG, FDBL200N60FS, IPW60R017C7