类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.025Ω（最大）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223

SKUT85/16V2 MOSFET具备多项优异特性，使其在各类功率电子系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体能效并减少发热。其次，该器件的漏源电压为100V，能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源转换和电机控制应用。
　　此外，SKUT85/16V2支持高达8A的连续漏极电流，具备较强的负载驱动能力，能够胜任高功率负载的控制任务。该MOSFET的SOT-223封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热管理性能，有助于热量快速散发，提升器件的长期稳定性。
　　该器件的栅源电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力，可在复杂电磁环境中稳定运行。其最大功耗为2.5W，工作温度范围宽，从-55°C至150°C，适应多种极端工作环境，适用于工业控制、汽车电子、消费类电源管理等对可靠性要求较高的应用场景。

SKUT85/16V2 MOSFET被广泛应用于各种功率控制和电源管理系统中。在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关电路中，实现高效的能量转换和分配。在工业自动化和电机控制中，该MOSFET可用于驱动直流电机、继电器和电磁阀等高功率负载。
　　在汽车电子方面，SKUT85/16V2适用于车身控制模块、照明系统、车载充电器等应用场景，其高可靠性和耐环境能力使其在汽车复杂工况下表现出色。此外，该器件也广泛用于消费类电子产品中的电源控制，如智能家电、电源适配器、LED驱动器等。其优异的导通特性和紧凑的封装形式也使其成为许多嵌入式系统和便携式设备中的理想选择。

IRFZ44N, FQP8N10, STP80NF03L, IRLZ44N