晶体类型：NPN型
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：80V
　　最大集电极电流（Ic）：3A
　　最大功耗（Ptot）：25W
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　直流电流增益（hFE）：在Ic=2mA时为110至800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

SKT763/08D具有多项优良特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其较高的集电极-发射极电压（Vce）允许在高压电路中使用，同时最大集电极电流为3A，使得该晶体管能够处理相对较大的负载。此外，该器件的功耗为25W，配合TO-220封装的优良散热性能，确保在较高工作温度下仍能稳定运行。
　　该晶体管的增益带宽积（fT）为100MHz，表明其在高频应用中具有良好的响应特性，适合用于射频和高速开关电路。直流电流增益（hFE）的范围为110至800，具体数值取决于晶体管的等级，这使得用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级。
　　SKT763/08D的TO-220封装不仅具备良好的散热能力，还提供了机械强度和稳定性，适合在工业环境和电源管理系统中使用。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端温度条件下可靠运行。这些特性使得SKT763/08D成为一款适用于多种电子设计的高性能晶体管。

SKT763/08D广泛应用于多个领域，包括工业自动化控制、电源管理、电机驱动、继电器驱动和音频放大电路等。在工业控制领域，该晶体管可用于驱动继电器、电磁阀和其他执行器，确保在高电压和高电流条件下的稳定运行。在电源管理系统中，SKT763/08D可以用于DC-DC转换器、稳压器和电池充电电路，以提高能量转换效率和系统稳定性。
　　在音频放大应用中，由于其较高的增益带宽积和良好的线性特性，SKT763/08D可被用于构建低频功率放大器，提供高质量的音频输出。此外，在电机驱动电路中，该晶体管能够承受较大的电流波动，确保电机平稳运行并提高整体系统效率。由于其优良的热稳定性和封装强度，SKT763/08D也常用于需要长时间连续工作的嵌入式系统和工业设备中。

TIP31C, 2N3055