类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：1200 V
　　最大漏极电流 (Id)：70 A
　　导通电阻 (Rds(on))：0.12 欧姆（典型值）
　　栅极电荷 (Qg)：170 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　最大功率耗散：125 W

SKT70F12DT 具备多项优异特性，首先是其高耐压能力，漏源电压最大可达 1200 V，适用于高电压应用环境。其次，该 MOSFET 的导通电阻较低，典型值为 0.12 欧姆，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，TO-220 封装有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能稳定运行。SKT70F12DT 的栅极电荷较低，能够实现快速开关操作，减少开关损耗。该器件还具有较强的抗过载能力，适合在工业级环境中使用。其工作温度范围宽，从 -55°C 到 +150°C，适用于多种严苛的应用环境。最后，该 MOSFET 内部结构设计优化，提高了可靠性和耐用性，是高功率开关电路中的理想选择。
　　SKT70F12DT 在设计上充分考虑了电气性能与机械性能的平衡。其 TO-220 封装形式不仅便于安装，还提供了良好的散热路径，有助于延长器件寿命。此外，该 MOSFET 的制造工艺采用了先进的硅技术，确保了器件在高频开关应用中的稳定性和效率。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 至 15V 驱动电压，与大多数栅极驱动 IC 兼容，便于系统设计。SKT70F12DT 的短路耐受能力也经过优化，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，增强了系统的安全性和稳定性。

SKT70F12DT 广泛应用于多种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、照明系统（如 HID 或 LED 驱动）、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。此外，SKT70F12DT 也可用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业电机控制等新兴应用领域。

STP70F12DT, FGH70F12DT, IXTK70P12P, SKT70F12T