时间：2025/8/22 22:04:50
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SKT70F10DT是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，广泛应用于高功率电子设备和开关电源系统中。该晶体管属于N沟道增强型MOSFET，具备高耐压和高电流容量的特点，适用于需要高效能、高可靠性的工业和汽车电子领域。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能和机械稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：70A
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约8.5mΩ（典型值）
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C至+175°C
SKT70F10DT具备优异的导通特性和开关性能，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构，提供更高的稳定性和更低的开关损耗。此外，其高耐压设计（100V漏源电压）使其适用于各种中高功率应用，包括DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，同时具备较高的抗短路能力和过载保护功能。
在可靠性方面，SKT70F10DT采用了优化的封装工艺，提高了散热能力，延长了使用寿命。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许灵活的驱动电路设计，增强了系统的兼容性和适应性。整体来看，该MOSFET在性能、效率和可靠性方面表现出色，是高功率电子系统中的理想选择。
SKT70F10DT广泛应用于各类高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）。在汽车电子领域，该器件常用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）。此外，该MOSFET也可用于功率因数校正（PFC）电路和高功率LED驱动电路。
TKA70F100D,TMOSFET STP75NF75,TOSHIBA TK3R1A60D
