时间：2025/8/22 23:06:32
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SKT70F08DT 是一款由 SK 旗下推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热稳定性。SKT70F08DT 封装为 TO-252（DPAK），适合用于空间受限的设计中，广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电器和负载开关等场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：70A
最大漏-源电压（VDS）：80V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
SKT70F08DT 具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）为 8mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，优化了电流密度分布，从而增强了导通能力和热稳定性。
此外，SKT70F08DT 支持高达 70A 的连续漏极电流和 80V 的漏-源电压，适用于高功率应用场景。其 ±20V 的栅-源电压耐受能力确保了在高频开关操作中器件的稳定性和可靠性。
该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能和紧凑的外形尺寸，适合表面贴装工艺（SMT），提高了 PCB 布局的灵活性。其工作温度范围广泛，支持从 -55°C 到 175°C 的工业级应用需求，适应严苛环境条件。
SKT70F08DT 还具备出色的短路耐受能力与热保护特性，增强了系统在异常工况下的稳定性与安全性，是高可靠性电源系统设计的理想选择。
SKT70F08DT 适用于多种高功率和高效能的电子系统，常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种工业控制设备。其低导通电阻和高电流容量使其在高效能电源转换系统中表现优异，尤其适合用于服务器电源、电信设备、电动车充电模块、LED 驱动电源和不间断电源（UPS）等关键应用领域。此外，该器件也可用于功率因数校正（PFC）电路和同步整流电路中，提升整体系统效率。
IRF3710, STP75NF75, FDP8870, Si7490DP, SKT70F08DT 的性能与参数相近，可作为替代型号参考。
