类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电流：300A
　　最大漏源电压：600V
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：150nC（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　安装方式：PCB板安装
　　最大功耗：200W
　　热阻（Rth）：0.45K/W（典型值）
　　短路耐受能力：支持（10μs以上）
　　隔离电压：2500Vrms（模块与散热片之间）
　　符合标准：RoHS、REACH

SKT630/04C功率模块采用了先进的MOSFET芯片技术，具有优异的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高负载条件下依然能够保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。模块内部集成了多个MOSFET芯片，并联设计使其能够承受高达300A的连续漏极电流，适用于高功率密度的应用场景。
　　该模块具有较低的栅极电荷（Qg），从而减少了开关过程中的能量损耗，提高了开关速度，适用于高频开关应用。此外，模块的短路耐受能力较强，能够在极端情况下保持一定的稳定性，从而提升系统的可靠性。
　　在热管理方面，SKT630/04C采用了高效的散热设计，热阻（Rth）仅为0.45K/W，使得模块在高功率运行时仍能保持较低的工作温度，从而延长使用寿命。模块的封装设计确保了良好的电气隔离和机械稳定性，适用于工业级的严苛环境。
　　此外，SKT630/04C符合RoHS和REACH环保标准，适合绿色电子制造。其双列直插式（DIP）封装便于安装和维护，适用于各种自动化设备和功率系统。

SKT630/04C广泛应用于工业自动化、电机驱动、变频器、伺服控制器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备以及电动汽车充电系统等功率电子设备中。由于其高电流承载能力和优异的热性能，该模块特别适合用于需要高可靠性和高性能的中高功率系统。

SKM300GB12T4, FF300R12KE4, IRAMS10UP60B