类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：590A
　　短路耐受能力：典型值10μs
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：DIP（双列直插式封装）
　　隔离电压：2500V AC（1分钟）
　　安装方式：底板安装
　　热阻（Rth）：0.13°C/W（结至壳）

SKT590F11DT是一款高性能的IGBT模块，具备高电流承载能力和优异的短路耐受性能。该模块采用先进的沟道型IGBT技术和场截止（Field Stop）结构，能够有效降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其内部集成的快速恢复二极管具有较低的反向恢复损耗，适用于高频开关应用。模块的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率密度应用中的稳定运行。此外，SKT590F11DT具备良好的电气隔离能力，适用于需要高安全等级的工业设备和电源系统。
　　该模块的高可靠性使其在严苛的工作环境下依然能够保持稳定的性能，广泛应用于电力电子变换器、电机驱动器和不间断电源（UPS）等场合。其紧凑的设计也使得系统设计更加灵活，便于实现高功率密度的功率转换系统。

SKT590F11DT广泛应用于各种高功率工业设备和电力电子系统中，包括交流电机驱动器、伺服控制器、工业变频器以及中频感应加热装置。该模块也适用于不间断电源（UPS）、电焊机、电动车辆的充电系统以及其他需要高效能功率转换的场景。由于其良好的短路保护能力和热稳定性，SKT590F11DT特别适合用于对系统可靠性要求较高的工业自动化和能源管理系统。

SKM590F11T4/SEMIKRON, FS590R11W1PFC/Infineon, CM590DY-11H/Mitsubishi