类型：N 沟道 MOSFET
　　封装：DPAK（TO-252）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：80A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（最大值，在 VGS=10V 时）
　　功率耗散（PD）：300W（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

SKT553/18D 具有低导通电阻的特点，这使得在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。该器件的导通电阻在 VGS=10V 时最大为 5.5mΩ，确保了在高电流条件下仍能保持较低的功耗。此外，该 MOSFET 采用了 DPAK（TO-252）封装，具备良好的热性能，有助于快速散热，从而提高器件的稳定性和可靠性。
　　这款 MOSFET 的最大漏极电流在 Tc=25°C 下可达 80A，适用于需要处理高电流的电源管理应用。其高功率耗散能力（最大 300W）使其能够在高负载条件下保持良好的性能。此外，SKT553/18D 还具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），能够在极端环境条件下稳定工作。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，通常在 VGS=10V 时达到最佳性能。其内部结构采用了先进的沟槽技术，优化了导通特性和开关速度之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。这种特性使其非常适合用于同步整流器和 DC-DC 转换器等需要快速开关的场合。

SKT553/18D 常用于各种电源管理应用中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。在 DC-DC 转换器中，该器件可以作为主开关，提供高效率的电压转换。在同步整流器中，SKT553/18D 可以替代传统的二极管整流器，以降低导通损耗并提高整体效率。此外，该 MOSFET 还适用于需要处理大电流的负载开关应用，例如电池管理系统和工业控制系统。其高可靠性和宽工作温度范围也使其在汽车电子系统和工业设备中得到了广泛应用。

STP80NF10, FDP80N10, IRF1405