时间：2025/8/22 22:34:18
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SKT520F04DW 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET晶体管，广泛用于各种功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池供电设备等场合。该MOSFET为N沟道增强型，采用高性能的硅基材料制造，具备优异的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
漏极电流（Id）：5.2A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（最大值，Vgs=10V）
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
SKT520F04DW 的主要特性包括低导通电阻，可有效降低导通损耗，提高系统效率；同时具备快速开关速度，使其在高频应用中表现出色。该MOSFET的热阻较低，有助于在高电流条件下维持稳定的温度性能，延长器件寿命。此外，其高耐压能力和过流保护特性增强了在严苛环境下的可靠性。
器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种控制电路中使用，且具备良好的抗静电能力，避免在操作过程中因静电放电造成损坏。TO-252封装设计便于安装和散热管理，适用于表面贴装工艺，提升了PCB布局的灵活性和可靠性。
SKT520F04DW 主要用于电源管理领域，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关和电池充电器等应用。此外，该器件也常见于电机控制、照明驱动器、消费类电子产品电源模块以及工业自动化设备中的功率开关电路中。由于其优异的导通和开关性能，也可用于汽车电子系统的功率管理模块。
TKA5N40,TNP5N40
