SKT493/18E 时间：2025/8/23 16:54:42 阅读：6

SKT493/18E是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块采用先进的芯片技术和封装设计，具有出色的导通和开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备。SKT493/18E常用于工业电机驱动、变频器、逆变器以及新能源系统等场合。

参数

类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1800V
　　最大集电极电流（IC）：300A（在TC=80℃）
　　短路耐受能力：10μs（典型值）
　　工作温度范围：-40℃至+150℃
　　封装类型：模块型（ModiPack）
　　绝缘等级：增强型绝缘
　　引脚数量：10
　　重量：约200g
　　尺寸：约120mm x 70mm x 15mm

特性

SKT493/18E模块采用了东芝先进的IGBT4芯片技术，具有优异的导通压降和开关损耗特性，能够在高频率下保持较低的功耗，从而提高系统的整体效率。其内部结构采用了低电感设计，减少了开关过程中的电压尖峰，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　此外，该模块具备良好的热管理性能，采用高效的散热设计，能够在高负载条件下保持较低的温升，延长器件的使用寿命。SKT493/18E还具有较强的短路耐受能力，能够在异常工况下提供额外的安全保障。
　　模块的封装设计符合工业标准，便于安装和维护，同时具备良好的绝缘性能，能够适应各种恶劣的工作环境。SKT493/18E的引脚布局经过优化，减少了外部连接的复杂性，提高了系统的集成度和可靠性。